模拟电子技术

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出版社:西安电科大
出版日期:2008-2
ISBN:9787560619767
作者:郑学峰
页数:245页

作者简介

《高职高专电子、通信类专业"十一五"规划教材·模拟电子技术》共分11章,内容包括:半导体二极管及其电路,晶体三极管和场效应管,放大电路基础,负反馈放大电路,集成运算放大电路及其应用,信号产生电路,高频谐振放大器,振幅调制、解调与混频电路,角度调制、解调电路,直流稳压电源,ispPAC可编程模拟器件及应用等。每章附有丰富的习题,并提供习题参考答案,以方便教学与实践。附录部分包括电阻器和电容器的标称值,半导体分立器件型号命名法,部分半导体分立器件型号和参数,半导体集成电路型号命名法等。全书内容丰富、难易适度、重点突出,方便教师组织教学。
《高职高专电子、通信类专业"十一五"规划教材·模拟电子技术》可作为高职高专院校通信、电子、计算机及自动化类专业的专业基础课教材,也可作为广播电视大学、职工大学等相关专业的教学参考书,并可供从事电子技术工作的工程技术人员参考。

书籍目录

第1章 半导体二极管及其电路  1.1 半导体的基本知识   1.1.1 半导体材料及其特性   1.1.2 本征半导体的结构   1.1.3 杂质半导体  1.2 PN结的形成及特性   1.2.1 PN结的形成   1.2.2 PN结的单向导电性   1.2.3 PN结的反向击穿特性  1.3 二极管及其应用电路   1.3.1 半导体二极管的结构和类型   1.3.2 半导体二极管的伏安特性   1.3.3 二极管的参数   1.3.4 二极管的检测   1.3.5 二极管的典型应用电路  1.4 特殊二极管  习题 第2章 晶体三极管和场效应管  2.1 晶体三极管   2.1.1 晶体三极管的结构特点   2.1.2 晶体三极管的特性曲线   2.1.3 晶体三极管的主要参数  2.2 场效应管   2.2.1 N沟道结型场效应管   2.2.2 N沟道增强型绝缘栅场效应管   2.2.3 场效应管的主要参数   2.2.4 [WB]场效应管的特点及[DW]使用注意事项  习题 第3章 放大电路基础  3.1 共射极基本放大电路   3.1.1 放大电路的组成   3.1.2 放大电路的基本工作原理  3.2 放大电路的分析方法   3.2.1 静态分析的估算法   3.2.2 ui=Umsinωt时的动态情况分析   3.2.3 动态分析的微变等效电路法   3.2.4 放大电路的主要性能指标  3.3 放大电路的稳定性   3.3.1 温度变化对工作点的影响   3.3.2 分压式偏置放大电路  3.4 共集电极、 共基极放大电路   3.4.1 共集电极放大电路   3.4.2 共基极放大电路  3.5 场效应管放大电路   3.5.1 场效应管的等效模型   3.5.2 共源极基本放大电路   3.5.3 共漏极基本放大电路  3.6 多级放大电路   3.6.1 多级放大电路的级间耦合方式   3.6.2 多级放大电路的电压放大倍数  3.7 功率放大电路   3.7.1 功率放大器的分类   3.7.2 甲乙类互补对称功率放大电路OCL   3.7.3 甲乙类单电源互补对称功率放大电路OTL   3.7.4 准互补推挽功率放大电路  3.8 放大电路的频率特性   3.8.1 影响频率特性的主要因素   3.8.2 单级RC共射放大电路的频率特性   3.8.3 多级放大电路的频率特性  习题 第4章 负反馈放大电路第5章 集成运算放大电路及其应用第6章 信号产生电路第7章 高频谐振放大器第8章 振幅调制、 解调与混频电路第9章 角度调制与解调电路第10章 直流稳压电源第11章 ispPAC 可编程模拟器件及应用附录A 电阻器和电容器的标称值 附录B 半导体分立器件型号命名法 附录C 部分半导体分立器件型号和参数 附录D 半导体集成电路型号命名法 附录E 各章习题参考答案 参考文献

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