半导体测试技术原理与应用

作者简介

全书共11章。第1章对半导体微区电阻测量技术的各种方法进行了分析比较，对国内外薄层电阻测试方法进行综述；第2章是四探针技术测量薄层电阻原理的分析，对常规直线四探针法、改进的范德堡法和斜置式方形Rymaszewski四探针法分别进行了详细论述；第3章深入地讨论了四探针测试技术中的共性问题，重点对测试设备的校准及环境对测量的影响，以及对四探针测试中的边缘修正问题进行了论述；第4章论述了本课题组开发的自动测量四探针仪测控系统；第5章论述游移对测试结果的影响及测量薄层电阻的改进Rymaszewski方法；第6、7章分别论述探针图像预处理、边缘检测以及探针的图像分割、定位控制与探针图像检测精度分析；第8章对电阻率的无接触测量技术及自主研制的薄层电阻自动测试仪器进行了分析与介绍；第9章讨论了高电阻率材料的电学参数测量问题；第10章论述了扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用；第11章介绍了外延片的物理测试原理。

书籍目录

1　半导体微区电阻测量技术1.1　微区电阻测试相关因素分析1.2　国内外薄层电阻测试方法综述1.3　图像处理与分析及共在半导体薄层电阻测量中的应用参考文献2　四探针技术测量薄层电阻的原理分析2.1　国探针测试技术概述2.2　常规直线四探针法2.3　改进的范德堡法2.4　斜置式方形Rymaszewski四探针法2.5　小结参考文献3　四探针测试技术中的共性问题3.1　测试探针3.2　测试设备的校准及环境对测量的影响3.3　四探针测试中的边缘修正问题3.4　小结参考文献4　四探针仪测控系统及其实现4.1　机械系统设计4.2　四探针仪测试系统设计4.3　光学监视系统4.4　小结参考文献5　游移对测试结果的影响及测量薄层电阻的改进Rymaszewski方法5.1　方形四探针测试中探针游针对测试结果造成的误差分析5.2　方形国探针法与常规直线四探针法游移造成误差的对比分析5.3　用改进的Rymaszewski公式及方形四探针法测定微区的方电阻5.4　小结参考文献6　探针图像预处理及边缘检测7　探针的图像侵害、定位控制与检测精度分析8　电阻率的无接触测量及自动测试技术9　高电阻率材料的电学参数测量10　扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用11　外延片的物理测试

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