半导体器件导论

作者简介

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。

书籍目录

Preface xviiCHAPTER 1The Crystal Structure of Solids1.0  Preview  11.1  Semiconductor Materials  21.2  Types of Solids  31.3  Space Lattices  41.3.1  Primitive and Unit Cell  41.3.2  Basic Crystal Structures  61.3.3  Crystal Planes and Miller Indices1.3.4  The Diamond Structure  131.4  Atomic Bonding  151.5  Imperfections and Impurities in Solids  171.5.1  Imperfections in Solids  171.5.2  Impurities in Solids  181.6  Growth of Semiconductor Materials  191.6.1  Growth from a Melt  201.6.2  Epitaxial Growth  221.7  Device Fabrication Techniques:Oxidation  231.8  Summary  25Problems  27CHAPTER  2Theory of Solids  312.0  Preview  312.1  Principles of Quantum Mechanics  322.1.1  Energy Quanta  322.1.2  Wave-Particle Duality Principle  342.2  Energy Quantization and Probability Concepts  362.2.1  Physical Meaning of the Wave Function  362.2.2  The One-Electron Atom  372.2.3  Periodic Table  402.3  Energy-Band Theory  412.3.1  Formation of Energy Bands  412.3.2  The Energy Band and the Bond Model  452.3.3  Charge Carriers--Electrons and Holes  472.3.4  Effective Mass  492.3.5  Metals, Insulators, and Semiconductors  502.3.6  The k-Space Diagram  522,4  Density of States Function  552.5  Statistical Mechanics  572.5.1  Statistical Laws  572.5.2  The Fermi-Dirac Distribution Function       and the Fermi Energy  582.5.3  Maxwell-Boltzmann Approximation  622.6  Summary  64Problems  65CHAPTER 3The Semiconductor in Equilibrium  703.0  Preview  703.1  Charge Carriers in Semiconductors  713.1.1  Equilibrium Distribution of Electrons and Holes  723.1.2  The no and Po Equations  743.1.3  The Intrinsic Carrier Concentration  793.1.4  The Intrinsic Fermi-Level Position  823.2  Dopant Atoms and Energy Levels  833.2.1  Qualitative Description  833.2.2  Ionization Energy  863.2.3  Group III-V Semiconductors  883.3  Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor  893.3.1  Equilibrium Distribution of Electrons and Holes  89……

前言

　　本书是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“Semiconductor Physics and Devices(3rd edition)”一书的改进版本。. 在原书的基础上，本书主要进行了以下的调整： (1)重新组织编排了原书的章节和内容，特别将有关MOSFET器件物理的内容放在了BJT之前，这反映了MOSFET在当代主流CMOS工艺中的重要位置； (2)结合不同类型半导体器件原理的介绍，增加了相应的微电子制造工艺方面的内容； (3)压缩了有关量子力学方面的内容，力图以较少的篇幅和比较浅显易懂的方式来介绍固体的量子理论和半导体物理方面必要的基础知识： (4)增加了一些介绍新器件结构方面的内容，例如MEMS器件等，以便进..

图书封面

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