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出版社:电子工业出版社
出版日期:2005-1-1
ISBN:9787505399488
作者:曾莹,孙磊,伍冬,任涛,沙玛
页数:464页
作者简介
本书深入介绍了先进半导体存储器的技术与发展,论述全面,涵盖了近年来的新技术成果。书中讲解了静态随机存取存储器技术、高性能的动态随机存取存储器、专用DRAM的结构和设计,先进的不挥发存储器的设计和技术、嵌入式存储器的设计和应用,以及未来存储器的发展方向等。DRAM作为新一代半导体产品制造技术的推动者,除用于计算机领域之外,还用于汽车、航空、航天、电信以及无线工业等领域。近年来,新一代高容量、高性能的存储器结构得到了进一步发展,包括嵌入式存储器和不挥发快闪存储器在内的大容量存储设备得到了越来越广泛的应用。
本书适合作为大学微电子专业高年级本科生及研究生的教材,也可作为从事半导体制造与研究的工作人员的参考用书。
书籍目录
第一章 先进半导体存储器引论
第二章 静态随机存取存储器技术
第三章 高性能的动态随机存取存储器
第四章 专业DRAM结构与设计
第五章 先进的不挥发存储器设计与技术
第六章 嵌入式存储器的设计与应用
第七章 未来的存储器方向:兆字节到兆兆字节
编辑推荐
DRAM作为新一代高容量半导体产品制造技术的推动者,除用于计算机领域外,还广泛用于汽车、航空、军事和航天、电信以及无线工业等领域。近年来,新一代高容量、高性能的存储器结构得到了进一步发展,包括嵌入式存储器和不挥发快闪存储器在内的大容量存储设备得到了越来越广泛的应用。 本书深入介绍了先进半导体存储器的技术与发展,内容详尽而新颖,具体包括: ● 静态随机存取存储器技术,涉及先进的体系结构、低压SRAM、快速SRAM、SOlSRAM以及专用SRAM(多端口、FIFO、CAM等) ● 高性能动态随机存取存储器技术——DDR、同步DRAM/SGRAM的特性和体系结构、EDRAM、CDRAM、各位DRAM的等比例缩小问题及其体系结构、多电平存储DRAM和SOl DRAM等 ● 专用DRAM的体系结构和设计一一VRAM、DDRSGRAM、RDRAM、SLDRAM和三维RAM等 ● 先进不挥发存储器的设计和技术,包括浮栅单元理论、EEPROM/快闪存储器单元设计和多电平快闪存储器等 ● FRAM及其可靠性问题 ● 嵌入式存储器的设计和应用,包括高速缓存、合并处理器、DRAM体系结构、存储卡和多媒体应用等 ● 未来存储器的发展方向:采用RTD、单电子存储器等技术使存储容量从兆字节发展到兆兆字节
媒体关注与评论
DRAM作为新一代高容量半导体产品制造技术的推动者,除用于计算机领域外,还广泛用于汽车、航空、军事和航天、电信以及无线工业等领域。近年来,新一代高容量、高性能的存储器结构得到了进一步发展,包括嵌入式存储器和不挥发快闪存储器在内的大容量存储设备得到了越来越广泛的应用。 本书深入介绍了先进半导体存储器的技术与发展,内容详尽而新颖,具体包括: ● 静态随机存取存储器技术,涉及先进的体系结构、低压SRAM、快速SRAM、SOlSRAM以及专用SRAM(多端口、FIFO、CAM等) ● 高性能动态随机存取存储器技术——DDR、同步DRAM/SGRAM的特性和体系结构、EDRAM、CDRAM、各位DRAM的等比例缩小问题及其体系结构、多电平存储DRAM和SOl DRAM等 ● 专用DRAM的体系结构和设计一一VRAM、DDRSGRAM、RDRAM、SLDRAM和三维RAM等 ● 先进不挥发存储器的设计和技术,包括浮栅单元理论、EEPROM/快闪存储器单元设计和多电平快闪存储器等 ● FRAM及其可靠性问题 ● 嵌入式存储器的设计和应用,包括高速缓存、合并处理器、DRAM体系结构、存储卡和多媒体应用等 ● 未来存储器的发展方向:采用RTD、单电子存储器等技术使存储容量从兆字节发展到兆兆字节
图书封面